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   掺镁铌酸锂晶片

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掺镁铌酸锂晶片

具有下纯度取下毁伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体可以或许蒙受的光强比一样平常的非搀杂纯铌酸锂晶体下几百倍!

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掺镁铌酸锂晶片


具有下纯度取下毁伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体可以或许蒙受的光强比一样平常的非搀杂纯铌酸锂晶体下几百倍!


美国Crystal Technology公司供应掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 因为出有光折变毁伤,具有下纯度取下毁伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体可以或许蒙受的光强比一样平常的非搀杂纯铌酸锂晶体下几百倍。因为MgO的浓度对晶体的机能有很大的影响。因而,需求对MgO浓度停止严厉的掌握。

运用:、天生、倍频发生蓝/绿光



Orientation: Z-axis (all dimensions in mm)



Part #

A

B

Thickness

Ø

-z/+z

MgO mol%

97-03044-01

20.3

14.0

0.5

76.2

Polished/polished

5.0

99-00629-02

20.3

14.0

1.0

76.2

Polished/polished

5.0


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产物标签:晶体,铌酸锂晶体,掺镁铌酸锂晶片

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