硅基雪崩二极管(Si APD)

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硅基雪崩二极管(Si APD)

下性价比,下机能雪崩二极管, APD,! 威尼斯 626767.com

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技术服务职员:吴工(Pete)

电话:15618011391

邮箱:ming-wu@auniontech.com


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昊量光电供应的APD(Si Avalanche Photodiode)雪崩二极管接纳内部增益机制,从而具有快速相应,低暗电流,远红外波段的灵敏度高档长处。我们的APD雪崩二极管特别适合于需求对带宽要求对照下的运用,和需求借由内部增益去战胜前置放大器噪声的场所。另外,我们的APD雪崩二极管供应比尺度光电二极管(PD)更高的灵敏度,异常合适极微弱光旌旗灯号的检测和短脉冲旌旗灯号丈量。


我们硅基雪崩光电二极管(Si APD's)的事情波段介于400 nm和1100 nm之间。尺度的光敏探测地区尺寸Ø200和Ø500μm,并提供密封TO罐和LCC等多种封装情势。


我们APD在包孕激光通信,(LIDAR),及光子计数等在内的很多运用中曾经成为光电倍增管的替代品。


产物总览:


Product

Peak Wavelength

Active Area

Package

APD-800-0-04

800 nm

Ø 230 µm

TO-46 Metal Can

APD-800-0-08

800 nm

Ø 500 µm

TO-46 Metal Can

APD-800-1-01

800 nm

Ø 230 µm

LCC3 SMD

APD-800-1-05

800 nm

Ø 500 µm

LCC3 SMD

APD-800-1-07

800 nm

Ø 500 µm

LCC6 SMD

APD-905-0-12

905 nm

Ø 230 µm

TO-46 Metal Can

APD-905-0-16

905 nm

Ø 500 µm

TO-46 Metal Can

APD-905-1-09

905 nm

Ø 230 µm

LCC3 SMD

APD-905-1-13

905 nm

Ø 500 µm

LCC3 SMD

APD-905-1-15

905 nm

Ø 500 µm

LCC6 SMD

 

 

最大额定参数

Absolute maximum   ratings

Symbol

Rating

Unit

Operating temperature   range

TOPR

-20...+85

Storage   temperature range

TSTG

-55...+125

Power   dissipation

PD

1

mW

Storage   temperature range

IF

1

mA

Operating   voltage

VOP

0.95 x VBR

V

Lead soldering temperature*  

TLS

260

 

 

产物参数:

800nm APD

APD-800-0-04   (TO-46)

APD-800-0-08  (TO-46)

APD-800-1-01   (LCC3 SMD

APD-800-1-05   (LCC3 SMD)


APD-800-1-07  (LCC6 SMD)

Parameters

Unit

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Sensitivity   range

nm

400


1100

400


1100

Active area Dia.

um


230



500


Responsivity

A/W

35

50


35

50


Rise time

ns


0.3



0.3


Dark current

nA

0.02

0.05

0.4

0.05

0.1

0.5

Capacitance

pF


1.5



3


Optimal gain



100



100


 

 

905nm APD

APD-905-0-12   (TO-46)

APD-905-0-16   (TO-46)

APD-905-1-09   (LCC3 SMD)

APD-905-1-13   (LCC3 SMD)


APD-905-1-15   (LCC6 SMD)

Parameters

Unit

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Sensitivity   range

nm

400


1100

400


1100

Active area, Dia

um


230



500


Responsivity

A/W

50

55


50

55


Rise time

ns


0.6



0.6


Dark current

nA

0.1

0.2

1

0.1

0.4

1

Capacitance

pF


1



1.2


Optimal gain



100



100


 

封装情势:

 LCC3 SMD                             LCC6 SMD

TO-46, glass window cap



www.867.net

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产物标签:雪崩二极管, APD, Si Avalanche Photodiode, 雪崩二极管探测器, 硅基雪崩二极管, 下灵敏度探测器, 雪崩光电二极管

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